Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT24F50S
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
476776Obraz APT24F50S.Microsemi

APT24F50S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT24F50S
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D3Pak
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    240 mOhm @ 11A, 10V
  • Strata mocy (max)
    335W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3630pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 24A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)
APT22F120B2

APT22F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT21M100J

APT21M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT23F60B

APT23F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24F50B

APT24F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24M80S

APT24M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24M80B

APT24M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120BG

APT25GN120BG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Opis: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT22F100J

APT22F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT23F60S

APT23F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Opis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT20SCD65K

APT20SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT22F80B

APT22F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT22F80S

APT22F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24M120B2

APT24M120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24M120L

APT24M120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT22F120L

APT22F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść