Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT23F60B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
766333Obraz APT23F60B.Microsemi

APT23F60B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT23F60B
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT23F60B.pdf
    2.APT23F60B.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    290 mOhm @ 11A, 10V
  • Strata mocy (max)
    415W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4415pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 24A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT23F60B”.
APT22F100J

APT22F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT20SCD120S

APT20SCD120S

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT22F120B2

APT22F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24M120L

APT24M120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT24F50B

APT24F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT23F60S

APT23F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT22F80S

APT22F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24F50S

APT24F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT20SCD120B

APT20SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT22F120L

APT22F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24M80S

APT24M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Opis: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT20SCD65K

APT20SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24M120B2

APT24M120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT20N60SC3G

APT20N60SC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT22F80B

APT22F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT21M100J

APT21M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Opis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24M80B

APT24M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.