Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT24M80S
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1249887Obraz APT24M80S.Microsemi

APT24M80S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
60+
$11.501
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT24M80S
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT24M80S.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D3Pak
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    390 mOhm @ 12A, 10V
  • Strata mocy (max)
    625W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4595pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 25A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT24M80S”.
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT23F60S

APT23F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT22F80B

APT22F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Opis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120B

APT25GR120B

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24F50S

APT24F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Opis: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT22F120L

APT22F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT22F80S

APT22F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24M120B2

APT24M120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT23F60B

APT23F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24F50B

APT24F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT24M120L

APT24M120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT24M80B

APT24M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GN120BG

APT25GN120BG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.