Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT100GN60LDQ4G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
922388Obraz APT100GN60LDQ4G.Microsemi

APT100GN60LDQ4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$15.86
10+
$14.416
25+
$13.334
100+
$12.253
250+
$11.172
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT100GN60LDQ4G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 229A 625W TO264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT100GN60LDQ4G.pdf
    2.APT100GN60LDQ4G.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.85V @ 15V, 100A
  • Stan testu
    400V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    31ns/310ns
  • Przełączanie Energy
    4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-264 [L]
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    625W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-264-3, TO-264AA
  • Inne nazwy
    APT100GN60LDQ4GMI
    APT100GN60LDQ4GMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    600nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    300A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    229A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT100GN60LDQ4G”.
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Opis: POWER MODULE - IGBT

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.