Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT100GF60JU3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3791745Obraz APT100GF60JU3.Microsemi

APT100GF60JU3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT100GF60JU3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 120A 416W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT100GF60JU3.pdf
    2.APT100GF60JU3.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.5V @ 15V, 100A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    416W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • temperatura robocza
    -
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    4.3nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • szczegółowy opis
    IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    120A
  • Konfiguracja
    Single

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT100GF60JU3”.
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10045JLL

APT10045JLL

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Opis: POWER MODULE - IGBT

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.