Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT100GN120B2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5822784Obraz APT100GN120B2G.Microsemi

APT100GN120B2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$28.40
10+
$26.273
30+
$24.142
120+
$22.438
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT100GN120B2G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 245A 960W TMAX
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT100GN120B2G.pdf
    2.APT100GN120B2G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.1V @ 15V, 100A
  • Stan testu
    800V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    50ns/615ns
  • Przełączanie Energy
    11mJ (on), 9.5mJ (off)
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    960W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • Inne nazwy
    APT100GN120B2GMI
    APT100GN120B2GMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    540nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    300A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    245A

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT100GN120B2G”.
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Opis: POWER MODULE - IGBT

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.