Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RZF020P01TL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2418789Obraz RZF020P01TL.LAPIS Semiconductor

RZF020P01TL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.191
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RZF020P01TL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RZF020P01TL.pdf
    2.RZF020P01TL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    105 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    800mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    3-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    RZF020P01TL-ND
    RZF020P01TLTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    770pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RZF020P01TL”.
2N7002E

2N7002E

Opis: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
RZF013P01TL

RZF013P01TL

Opis: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
JANTXV2N6766T1

JANTXV2N6766T1

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
IRF820STRRPBF

IRF820STRRPBF

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF6678TRPBF

IRF6678TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RZF030P01TL

RZF030P01TL

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1341-C-TL-W

SFT1341-C-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 40V 10A TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13

Opis: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SCTWA20N120

SCTWA20N120

Opis: IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FQB4N20TM

FQB4N20TM

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRLR7843CTRPBF

IRLR7843CTRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AON7244

AON7244

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FQP3N50C-F080

FQP3N50C-F080

Opis: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF6626

IRF6626

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.