Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RZF013P01TL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3805605Obraz RZF013P01TL.LAPIS Semiconductor

RZF013P01TL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.50
10+
$0.349
100+
$0.229
500+
$0.136
1000+
$0.104
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RZF013P01TL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RZF013P01TL.pdf
    2.RZF013P01TL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TUMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    800mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    3-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    RZF013P01TLDKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    290pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RZF013P01TL”.
2N7639-GA

2N7639-GA

Opis: TRANS SJT 650V 15A TO-257

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
RJK0854DPB-00#J5

RJK0854DPB-00#J5

Opis: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RZF020P01TL

RZF020P01TL

Opis: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
STP60NF03L

STP60NF03L

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STF40NF20

STF40NF20

Opis: MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IPL60R365P7AUMA1

IPL60R365P7AUMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXFP7N80PM

IXFP7N80PM

Opis: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
AOTF3N100

AOTF3N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IXTN210P10T

IXTN210P10T

Opis: MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NP88N055KUG-E1-AY

NP88N055KUG-E1-AY

Opis: MOSFET N-CH 55V 88A TO-263

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
NTLJD3182FZTAG

NTLJD3182FZTAG

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDFS2P753Z

FDFS2P753Z

Opis: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RZF030P01TL

RZF030P01TL

Opis: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
HTNFET-D

HTNFET-D

Opis: MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Producenci: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Na stanie
RFQ
SI7462DP-T1-GE3

SI7462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
DMPH3010LK3-13

DMPH3010LK3-13

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.