Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI4890DY-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6577746

SI4890DY-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$1.475
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI4890DY-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI4890DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12 mOhm @ 11A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    -

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI4890DY-T1-GE3”.
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.