Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN4040SK3-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5447509Obraz DMN4040SK3-13.Diodes Incorporated

DMN4040SK3-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.21
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN4040SK3-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMN4040SK3-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    30 mOhm @ 12A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.71W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    DMN4040SK3-13DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    945pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 6A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN4040SK3-13”.
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Opis: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4026SSDQ-13

DMN4026SSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4027SSD-13

DMN4027SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4027SSS-13

DMN4027SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Opis: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.