Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN4060SVT-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7021107Obraz DMN4060SVT-7.Diodes Incorporated

DMN4060SVT-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.53
10+
$0.417
100+
$0.286
500+
$0.196
1000+
$0.147
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN4060SVT-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN4060SVT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TSOT-26
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    46 mOhm @ 4.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.2W (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    DMN4060SVT-7DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1287pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    22.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    45V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 45V 4.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN4060SVT-7”.
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4027SSS-13

DMN4027SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Opis: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Opis: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4027SSD-13

DMN4027SSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.