Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN53D0LQ-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1179303Obraz DMN53D0LQ-13.Diodes Incorporated

DMN53D0LQ-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.054
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN53D0LQ-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN53D0LQ-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    370mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    46pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    50V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 50V 500mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN53D0LQ-13”.
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Opis: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Opis: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06DMK-7

DMN5L06DMK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06-7

DMN5L06-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Opis: MOSFET N-CH 50V SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06DMKQ-7

DMN5L06DMKQ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.