Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN55D0UT-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3139792Obraz DMN55D0UT-7.Diodes Incorporated

DMN55D0UT-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.41
10+
$0.37
100+
$0.207
500+
$0.111
1000+
$0.076
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN55D0UT-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN55D0UT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-523
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4 Ohm @ 100mA, 4V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SOT-523
  • Inne nazwy
    DMN55D0UTDIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    50V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 50V 160mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-523
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    160mA (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN55D0UT-7”.
DMN5L06V-7

DMN5L06V-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06T-7

DMN5L06T-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06TK-7

DMN5L06TK-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06DWK-7

DMN5L06DWK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Opis: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06DMK-7

DMN5L06DMK-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06K-7

DMN5L06K-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06DW-7

DMN5L06DW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06DMKQ-7

DMN5L06DMKQ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Opis: MOSFET N-CH 50V SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN5L06-7

DMN5L06-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.