Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RFN2LAM4STR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2238438Obraz RFN2LAM4STR.LAPIS Semiconductor

RFN2LAM4STR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.176
6000+
$0.164
15000+
$0.153
30000+
$0.145
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RFN2LAM4STR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RFN2LAM4STR.pdf
    2.RFN2LAM4STR.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.2V @ 1.5A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PMDTM
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOD-128
  • Inne nazwy
    RFN2LAM4STRTR
  • Temperatura pracy - złącze
    150°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount PMDTM
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1.5A
  • Pojemność @ VR F
    -

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RFN2LAM4STR”.
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Opis: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Opis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.