Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RFN20NS6STL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
538358Obraz RFN20NS6STL.LAPIS Semiconductor

RFN20NS6STL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$0.941
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RFN20NS6STL
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.55V @ 20A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    LPDS
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    60ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura pracy - złącze
    150°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 20A Surface Mount LPDS
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    20A
  • Pojemność @ VR F
    -
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Opis: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Opis: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN10T2D

RFN10T2D

Opis: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Opis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

Opis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść