Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RFN3BM6SFHTL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1899659Obraz RFN3BM6SFHTL.LAPIS Semiconductor

RFN3BM6SFHTL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.356
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RFN3BM6SFHTL
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RFN3BM6SFHTL.pdf
    2.RFN3BM6SFHTL.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.55V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    RFN3BM6SFHTLTR
  • Temperatura pracy - złącze
    150°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RFN3BM6SFHTL”.
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Opis: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5BGE3STL

RFN5BGE3STL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5B6STL

RFN5B6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5B3STL

RFN5B3STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5BM3SFHTL

RFN5BM3SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFN5B2STL

RFN5B2STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.