Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RFN2L6STE25

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3680925

Obraz RFN2L6STE25.

LAPIS Semiconductor

RFN2L6STE25

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1500+

$0.293

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RFN2L6STE25
Producent / marka

LAPIS Technology
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RFN2L6STE25.pdf
Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli

1.55V @ 1.5A
Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)

600V
Dostawca urządzeń Pakiet

PMDS
Prędkość

Fast Recovery = 200mA (Io)
Seria

-
Odwrócona Recovery Time (TRR)

35ns
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

DO-214AC, SMA
Inne nazwy

RFN2L6STE25TR
Temperatura pracy - złącze

150°C (Max)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Typ diody

Standard
szczegółowy opis

Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount PMDS
Obecny - Reverse Przeciek @ Vr

1µA @ 600V
Obecny - Średnia Spirytus (Io)

1.5A
Pojemność @ VR F

-

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RFN2L6STE25”.

RFN3BGE6STL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN3BM2SFHTL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN20NS6SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN3BM2STL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN20NS6STL

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN20NS3SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN2LAM6STR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN1LAM7STR

Opis: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN1LAM7STFTR

Opis: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN20NS4SFHTL

Opis: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN2L4STE25

Opis: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN20TF6S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN2LAM4STR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN3B2STL

RFN3B2STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN3BM6SFHTL

Opis: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN20TF6SFH

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN3B6STL

RFN3B6STL

Opis: DIODE GEN PURPOSE CPD

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN30TS6SGC11

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN30TS6DGC11

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RFN20TJ6SGC9

Opis: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.