Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RDN120N25
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5314699Obraz RDN120N25.LAPIS Semiconductor

RDN120N25

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RDN120N25
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RDN120N25.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220FN
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    210 mOhm @ 6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    40W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1224pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    250V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RDN120N25”.
AON7784

AON7784

Opis: MOSFET N-CH 30V 31A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Opis: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Opis: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Opis: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPD08P06PGBTMA1

SPD08P06PGBTMA1

Opis: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPA65R310CFDXKSA1

IPA65R310CFDXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AOWF12T60P

AOWF12T60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
BUK7E1R8-40E,127

BUK7E1R8-40E,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Opis: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SI4420DY,518

SI4420DY,518

Opis: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
IRFU9014N

IRFU9014N

Opis: MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
AON6413

AON6413

Opis: MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
AO3403

AO3403

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.