Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RDN120N25FU6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
49628Obraz RDN120N25FU6.LAPIS Semiconductor

RDN120N25FU6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RDN120N25FU6
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RDN120N25FU6.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220FN
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    210 mOhm @ 6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    40W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1224pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    250V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RDN120N25FU6”.
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFH35N30

IXFH35N30

Opis: MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOTF474

AOTF474

Opis: MOSFET N-CH 75V 9A TO220FL

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
2N6788

2N6788

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-205AF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
IRFIB8N50KPBF

IRFIB8N50KPBF

Opis: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EPC8004ENGR

EPC8004ENGR

Opis: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
IPD50N06S214ATMA1

IPD50N06S214ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRLR4343TRL

IRLR4343TRL

Opis: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
MTP2P50EG

MTP2P50EG

Opis: MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQA85N06

FQA85N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Opis: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Opis: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RDN120N25

RDN120N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Opis: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Opis: DIFFERENTIATED MOSFETS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF5210STRLPBF

IRF5210STRLPBF

Opis: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STF30N10F7

STF30N10F7

Opis: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.