Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R6030ENZC8
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6874837Obraz R6030ENZC8.LAPIS Semiconductor

R6030ENZC8

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.47
10+
$5.779
100+
$4.739
500+
$3.837
1000+
$3.236
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6030ENZC8
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    R6030ENZC8.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3PF
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    120W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3 Full Pack
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6030ENZC8”.
R6030KNX

R6030KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.