Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > R6031035ESYA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
207474

R6031035ESYA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$68.438
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6031035ESYA
  • Producent / marka
    Powerex, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    R6031035ESYA.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 800A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-205AB, DO-9
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    2µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura pracy - złącze
    -45°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    50mA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    350A
  • Pojemność @ VR F
    -

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6031035ESYA”.
R6030KNX

R6030KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R60400-1CR

R60400-1CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.