Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > R6035KNZ1C9
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4453207Obraz R6035KNZ1C9.LAPIS Semiconductor

R6035KNZ1C9

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.05
10+
$5.405
100+
$4.432
500+
$3.589
1000+
$3.027
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6035KNZ1C9
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    R6035KNZ1C9.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    102 mOhm @ 18.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    379W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    R6035KNZ1C9TR
    R6035KNZ1C9TR-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „R6035KNZ1C9”.
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R60400-3CR

R60400-3CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R60400-1STR

R60400-1STR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R60400-1CR

R60400-1CR

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6046ANZC8

R6046ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6047ENZ1C9

R6047ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6046FNZC8

R6046FNZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R60400-1STRM

R60400-1STRM

Opis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.