Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > LSIC1MO120E0120
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4865040Obraz LSIC1MO120E0120.Hamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0120

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$21.51
10+
$19.55
25+
$18.084
100+
$16.618
250+
$15.151
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    LSIC1MO120E0120
  • Producent / marka
    Hamlin / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    LSIC1MO120E0120.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 7mA
  • Vgs (maks.)
    +22V, -6V
  • Technologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    150 mOhm @ 14A, 20V
  • Strata mocy (max)
    139W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    F11004
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    29 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1125pF @ 800V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    80nC @ 20V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1200V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „LSIC1MO120E0120”.
NDS9435A

NDS9435A

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
GKI07174

GKI07174

Opis: MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Opis: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
IPP040N06N3GXKSA1

IPP040N06N3GXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
BUK725R0-40C,118

BUK725R0-40C,118

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FQAF12P20

FQAF12P20

Opis: MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQP3N80C

FQP3N80C

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPAN60R650CEXKSA1

IPAN60R650CEXKSA1

Opis: MOSFET NCH 600V 9.9A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Opis: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.