Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > LSIC2SD120C05
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6592908Obraz LSIC2SD120C05.Hamlin / Littelfuse

LSIC2SD120C05

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$3.164
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    LSIC2SD120C05
  • Producent / marka
    Hamlin / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    LSIC2SD120C05.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.8V @ 5A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-252, (D-Pak)
  • Prędkość
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Seria
    Gen2
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    0ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    F10086TR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    25 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Silicon Carbide Schottky
  • szczegółowy opis
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 18.1A (DC) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    18.1A (DC)
  • Pojemność @ VR F
    310pF @ 1V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „LSIC2SD120C05”.
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
SF38GHR0G

SF38GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
BAS20LT1

BAS20LT1

Opis: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BAS 3005B-02V E6327

BAS 3005B-02V E6327

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
VS-ETH1506SHM3

VS-ETH1506SHM3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ES2BHR5G

ES2BHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
VS-30ETH06STRRPBF

VS-30ETH06STRRPBF

Opis: DIODE FRED 30A D2PAK

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
1N3294

1N3294

Opis: STANDARD RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
SDURB1030TR

SDURB1030TR

Opis: DIODE GEN PURP 300V D2PAK

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
R5000610XXWA

R5000610XXWA

Opis: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Opis: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Opis: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Opis: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
CMG06(TE12L,Q,M)

CMG06(TE12L,Q,M)

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.