Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN31D6UT-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
792066

DMN31D6UT-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.044
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN31D6UT-13
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-523
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    320mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-523
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    13.6pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.35nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 350mA (Ta) 320mW Surface Mount SOT-523
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    350mA (Ta)
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Opis: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Opis: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Opis: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść