Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMN31D5UFZ-7B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2901317Obraz DMN31D5UFZ-7B.Diodes Incorporated

DMN31D5UFZ-7B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.10
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMN31D5UFZ-7B
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMN31D5UFZ-7B.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    X2-DFN0606-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    393mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    3-XFDFN
  • Inne nazwy
    DMN31D5UFZ-7BDITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    22.2pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.35nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 220mA (Ta) 393mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    220mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMN31D5UFZ-7B”.
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Opis: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Opis: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.