Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SISS64DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5675390Obraz SISS64DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS64DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.641
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SISS64DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SISS64DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    +20V, -16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Seria
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.1 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    57W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8S
  • Inne nazwy
    SISS64DN-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3420pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    68nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 40A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SISS64DN-T1-GE3”.
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 125V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Opis: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Opis: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.