Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SISS98DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2402826Obraz SISS98DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS98DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.29
10+
$1.14
100+
$0.901
500+
$0.699
1000+
$0.552
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SISS98DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SISS98DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    ThunderFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    105 mOhm @ 7A, 10V
  • Strata mocy (max)
    57W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SISS98DN-T1-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    608pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14nC @ 7.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    14.1A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SISS98DN-T1-GE3”.
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Opis: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Opis: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
RFQ
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 125V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.