Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SISS28DN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4568515

Obraz SISS28DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS28DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.428

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SISS28DN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SISS28DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (maks.)

+20V, -16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Seria

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ ID, Vgs

1.52 mOhm @ 15A, 10V
Strata mocy (max)

57W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8S
Inne nazwy

SISS28DN-T1-GE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

32 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

3640pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

25V
szczegółowy opis

N-Channel 25V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SISS28DN-T1-GE3”.

SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 125V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISNAP915EK

Opis: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISNAP915DK

Opis: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.