Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SISC06DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2020316Obraz SISC06DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISC06DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.435
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SISC06DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SISC06DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    +20V, -16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.7 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SISC06DN-T1-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2455pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 27.6A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 46.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    27.6A (Ta), 40A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SISC06DN-T1-GE3”.
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Opis: SMALL SIGNAL+P-CH

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Opis: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.