Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SISA26DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5661712Obraz SISA26DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA26DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.00
10+
$0.879
100+
$0.678
500+
$0.502
1000+
$0.402
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SISA26DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SISA26DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    +16V, -12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Seria
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.65 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    39W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8S
  • Inne nazwy
    SISA26DN-T1-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2247pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    25V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 25V 60A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SISA26DN-T1-GE3”.
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Opis: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.