Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SISH410DN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3336997

SISH410DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.501

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SISH410DN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SISH410DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8SH
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Strata mocy (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8SH
Inne nazwy

SISH410DN-T1-GE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

42 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1600pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

41nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

N-Channel 20V 22A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 35A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SISH410DN-T1-GE3”.

SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Opis: SMALL SIGNAL+P-CH

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SISNAP915EK

Opis: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Opis: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Opis: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SISNAP915DK

Opis: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.