Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR166DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7006375Obraz SIR166DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR166DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.696
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIR166DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIR166DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.2 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    5W (Ta), 48W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SIR166DP-T1-GE3TR
    SIR166DPT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3340pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIR166DP-T1-GE3”.
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR172ADP-T1-GE3

SIR172ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR172DP-T1-GE3

SIR172DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR186DP-T1-RE3

SIR186DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR19-21C/TR8

SIR19-21C/TR8

Opis: EMITTER IR 875NM 65MA 0603

Producenci: Everlight Electronics
Na stanie
RFQ
SIR12-21C/TR8

SIR12-21C/TR8

Opis: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Producenci: Everlight Electronics
Na stanie
RFQ
SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.