Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR112DP-T1-RE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6661868

Obraz SIR112DP-T1-RE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR112DP-T1-RE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.641

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIR112DP-T1-RE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CHAN 40V
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIR112DP-T1-RE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (maks.)

+20V, -16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ ID, Vgs

1.96 mOhm @ 10A, 10V
Strata mocy (max)

5W (Ta), 62.5W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SIR112DP-T1-RE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

4270pF @ 20V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

89nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

40V
szczegółowy opis

N-Channel 40V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

37.6A (Ta), 133A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIR112DP-T1-RE3”.

SIR-56ST3FF

Opis: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

SIR-568ST3F

Opis: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR1-05-L-S-K-TR

SIR1-05-L-S-K-TR

Opis: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Producenci: Samtec, Inc.

Na stanie

SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Vishay Siliconix

Na stanie

SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR1-03-L-S

SIR1-03-L-S

Opis: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Producenci: Samtec, Inc.

Na stanie

SIR12-21C/TR8

Opis: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Producenci: Everlight Electronics

Na stanie

SIR-505STA47F

Opis: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR1-03-L-S-K-TR

SIR1-03-L-S-K-TR

Opis: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Producenci: Samtec, Inc.

Na stanie

SIR-563ST3FN

Opis: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.