Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR164DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1163578Obraz SIR164DP-T1-GE3.Vishay Siliconix

SIR164DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.617
6000+
$0.587
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIR164DP-T1-GE3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Test
    3950pF @ 15V
  • Napięcie - Podział
    PowerPAK® SO-8
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (maks.)
    4.5V, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    TrenchFET®
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    50A (Tc)
  • Polaryzacja
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SIR164DP-T1-GE3TR
    SIR164DPT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Numer części producenta
    SIR164DP-T1-GE3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    123nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.5V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30V
  • Stosunek pojemności
    5.2W (Ta), 69W (Tc)
SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR172DP-T1-GE3

SIR172DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR1-03-L-S-K-TR

SIR1-03-L-S-K-TR

Opis: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
SIR1-05-L-S-K-TR

SIR1-05-L-S-K-TR

Opis: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie
SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR168DP-T1-GE3

SIR168DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść