Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIJA52DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5069431Obraz SIJA52DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJA52DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.66
10+
$1.472
100+
$1.164
500+
$0.902
1000+
$0.712
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIJA52DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIJA52DP-T1-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    +20V, -16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.7 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    48W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SIJA52DP-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7150pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    150nC @ 20V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIJA52DP-T1-GE3”.
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
CXDM6053N TR

CXDM6053N TR

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NX3008PBK,215

NX3008PBK,215

Opis: MOSFET P-CH 30V TO-236AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RFP50N06

RFP50N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF3704ZSTRLPBF

IRF3704ZSTRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFPC40

IRFPC40

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.