Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIJA72ADP-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2915762

SIJA72ADP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.456

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIJA72ADP-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIJA72ADP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (maks.)

+20V, -16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ ID, Vgs

3.42 mOhm @ 10A, 10V
Strata mocy (max)

4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SIJA72ADP-T1-GE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

42 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

2530pF @ 20V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

50nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

40V
szczegółowy opis

N-Channel 40V 27.9A (Ta), 96A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

27.9A (Ta), 96A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIJA72ADP-T1-GE3”.

SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

IRFU3607-701PBF

IRFU3607-701PBF

Opis: MOSFET N CH 75V 56A IPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

AUIRF3205

Opis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

IRL5602STRR

Opis: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

IRLI610ATU

IRLI610ATU

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI1433DH-T1-GE3

SI1433DH-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.