Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIJ484DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4513209Obraz SIJ484DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJ484DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIJ484DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIJ484DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Strata mocy (max)
    5W (Ta), 27.7W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1600pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIJ484DP-T1-GE3”.
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NX2301PVL

NX2301PVL

Opis: MOSFET P-CHANNEL 20V 2A TO236AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
CEDM7004VL TR

CEDM7004VL TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
STW54NK30Z

STW54NK30Z

Opis: MOSFET N-CH 300V 54A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AOTF2618L

AOTF2618L

Opis: MOSFET N-CH 60V 16A TO220F

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDS6294

FDS6294

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.