Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7892BDP-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5515598

Obraz SI7892BDP-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7892BDP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.863

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7892BDP-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7892BDP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

4.2 mOhm @ 25A, 10V
Strata mocy (max)

1.8W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SI7892BDP-T1-GE3TR
SI7892BDPT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

27 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

3775pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

40nC @ 4.5V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 15A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7892BDP-T1-GE3”.

SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7904DN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7898DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7888DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7882DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.