Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7900AEDN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4839999

Obraz SI7900AEDN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7900AEDN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.602

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7900AEDN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7900AEDN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8 Dual
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Moc - Max

1.5W
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8 Dual
Inne nazwy

SI7900AEDN-T1-GE3TR
SI7900AEDNT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

-
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Rodzaj FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Cecha FET

Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

6A
Podstawowy numer części

SI7900

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7900AEDN-T1-GE3”.

SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7904DN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7905DN-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7898DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7909DN-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7888DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.