Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7884BDP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4011835Obraz SI7884BDP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7884BDP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.95
10+
$1.765
100+
$1.418
500+
$1.103
1000+
$0.914
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI7884BDP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI7884BDP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7.5 mOhm @ 16A, 10V
  • Strata mocy (max)
    4.6W (Ta), 46W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SI7884BDP-T1-GE3CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3540pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 58A (Tc) 4.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7884BDP-T1-GE3”.
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7866ADP-T1-GE3

SI7866ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7868ADP-T1-GE3

SI7868ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.