Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N6478-E3/97
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6790282Obraz 1N6478-E3/97.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N6478-E3/97

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.096
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6478-E3/97
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    50V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-213AB
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    SUPERECTIFIER®
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    1N6478
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N6476

1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N6475US

1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6475

1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6474US

1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6476US

1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6476US

1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6475

1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6476

1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N647UR-1

1N647UR-1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6475US

1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N648-1

1N648-1

Opis: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść