Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N6479-E3/96
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2645876Obraz 1N6479-E3/96.Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479-E3/96

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.098
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6479-E3/96
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.1N6479-E3/96.pdf
    2.1N6479-E3/96.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1A
  • Napięcie - Podział
    DO-213AB
  • Seria
    SUPERECTIFIER®
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Numer części producenta
    1N6479-E3/96
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Diode Configuration
    10µA @ 100V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    100V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N6479-E3/96”.
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N648-1

1N648-1

Opis: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N6480HE3/96

1N6480HE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N6476US

1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N6475US

1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N6476US

1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N6475US

1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N647UR-1

1N647UR-1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
1N6476

1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N6476

1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.