Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > 1N6476US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5949314

1N6476US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$21.093
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6476US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    54V
  • Napięcie - podziały (min)
    51.6V
  • Napięcie - Podział
    G-MELF (D-5C)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    107A (8/20µs)
  • Polaryzacja
    SQ-MELF, G
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    1N6476US
  • Opis
    TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    78.5V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6475

1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6475US

1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC GMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6474

1N6474

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N647UR-1

1N647UR-1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6476

1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N6475

1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6474US

1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6476US

1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N6476

1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6474US

1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6475US

1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6474

1N6474

Opis: TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść