Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT3011LDT-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5570575Obraz DMT3011LDT-7.Diodes Incorporated

DMT3011LDT-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.375
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMT3011LDT-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMT3011LDT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    V-DFN3030-8 (Type K)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    20 mOhm @ 6A, 10V
  • Moc - Max
    1.9W
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-VDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    DMT3011LDT-7-ND
    DMT3011LDT-7DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    641pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A, 10.7A

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT3011LDT-7”.
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Opis: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Opis: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Opis: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

Opis: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Opis: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Opis: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Opis: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.