Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT3009LFVW-7

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4731605

Obraz DMT3009LFVW-7.

Diodes Incorporated

DMT3009LFVW-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2000+

$0.253

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

DMT3009LFVW-7
Producent / marka

Diodes Incorporated
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

DMT3009LFVW-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerDI3333-8
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

11 mOhm @ 14.4A, 10V
Strata mocy (max)

2.3W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-PowerVDFN
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Standardowy czas oczekiwania producenta

20 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

823pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

12nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

3.8V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 50A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT3009LFVW-7”.

DMT3009LDT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3006LFG-7

Opis: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3006LFG-13

Opis: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3020LFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3006LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3008LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3006LFDF-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3011LDT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3008LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3020LFDF-7

Opis: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3020LFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3020LFDF-13

Opis: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT3009LFVW-13

Opis: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.