Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT3006LFG-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5071179Obraz DMT3006LFG-13.Diodes Incorporated

DMT3006LFG-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.333
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMT3006LFG-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET NCH 30V 16A POWERDI
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMT3006LFG-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6 mOhm @ 12A, 10V
  • Strata mocy (max)
    27.8W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    30 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1320pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    22.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 16A (Ta), 55.6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta), 55.6A (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT3006LFG-13”.
DMT3004LFG-7

DMT3004LFG-7

Opis: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Opis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LDK-7

DMT3006LDK-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3004LFG-13

DMT3004LFG-13

Opis: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

Opis: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3004LPS-13

DMT3004LPS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT2S47K-F

DMT2S47K-F

Opis: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Opis: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Opis: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3003LFG-7

DMT3003LFG-7

Opis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3006LFDF-13

DMT3006LFDF-13

Opis: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT3002LPS-13

DMT3002LPS-13

Opis: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.