Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMP10H400SE-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2130086Obraz DMP10H400SE-13.Diodes Incorporated

DMP10H400SE-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.82
10+
$0.687
100+
$0.515
500+
$0.378
1000+
$0.292
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMP10H400SE-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMP10H400SE-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-223
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    250 mOhm @ 5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta), 13.7W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Inne nazwy
    DMP10H400SE-13DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1239pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    17.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 100V 2.3A (Ta), 6A (Tc) 2W (Ta), 13.7W (Tc) Surface Mount SOT-223
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta), 6A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMP10H400SE-13”.
DMP1200UFR4-7

DMP1200UFR4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1046UFDB-13

DMP1046UFDB-13

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1081UCB4-7

DMP1081UCB4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 9A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1555UFA-7B

DMP1555UFA-7B

Opis: MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1096UCB4-7

DMP1096UCB4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2003UPS-13

DMP2003UPS-13

Opis: MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1055USW-7

DMP1055USW-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13

Opis: MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1080UCB4-7

DMP1080UCB4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7

Opis: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1100UCB4-7

DMP1100UCB4-7

Opis: MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1245UFCL-7

DMP1245UFCL-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1055USW-13

DMP1055USW-13

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.