Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMP2002UPS-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6638477

DMP2002UPS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$1.009
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMP2002UPS-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMP2002UPS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI5060-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.9 mOhm @ 25A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.3W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerTDFN
  • Inne nazwy
    DMP2002UPS-13DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    12826pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    585nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 60A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMP2002UPS-13”.
DMP2004K-7

DMP2004K-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1555UFA-7B

DMP1555UFA-7B

Opis: MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1245UFCL-7

DMP1245UFCL-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2004VK-7

DMP2004VK-7

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2005UFG-13

DMP2005UFG-13

Opis: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1200UFR4-7

DMP1200UFR4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2006UFG-13

DMP2006UFG-13

Opis: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2005UFG-7

DMP2005UFG-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1096UCB4-7

DMP1096UCB4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP1100UCB4-7

DMP1100UCB4-7

Opis: MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2004TK-7

DMP2004TK-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2004DWK-7

DMP2004DWK-7

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 9A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2003UPS-13

DMP2003UPS-13

Opis: MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2004WK-7

DMP2004WK-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMP2004DMK-7

DMP2004DMK-7

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.