Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMP1055USW-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2952362

DMP1055USW-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.122
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMP1055USW-7
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-363
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    48 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    660mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1028pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 3.8A (Ta) 660mW Surface Mount SOT-363
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.8A (Ta)
DMP1096UCB4-7

DMP1096UCB4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1100UCB4-7

DMP1100UCB4-7

Opis: MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1022UFDE-7

DMP1022UFDE-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1080UCB4-7

DMP1080UCB4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 9A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7

Opis: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1055USW-13

DMP1055USW-13

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1046UFDB-13

DMP1046UFDB-13

Opis: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1045U-7

DMP1045U-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1081UCB4-7

DMP1081UCB4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1022UFDF-13

DMP1022UFDF-13

Opis: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1022UFDF-7

DMP1022UFDF-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP1200UFR4-7

DMP1200UFR4-7

Opis: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13

Opis: MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść